Une alliance de fabricants souhaite développer des puces de mémoire MRAM qui pourraient être dix fois plus rapides que les puces de mémoire DRAM actuelles.
Plus de vingt entreprises japonaises et américaines se sont alliées pour créer les premières puces de mémoire MRAM (mémoire vive magnétorésistive ou magnetoresistive random access memory en anglais) qui, en plus d’offrir une vitesse d’écriture dix fois supérieure aux puces de mémoire DRAM (mémoire vive dynamique ou dynamic random access memory en anglais), stockeraient dix fois plus de données tout en consommant le tiers d’énergie.
L’alliance de fabricants, dont font partie Tokyo Electron et le conglomérat électronique Hitachi, vise le marché de la téléphonie portable et de l’informatique mobile. Toutefois, Nikkei Asian review rapporte que la production de masse de ce type de mémoire n’est prévue que pour 2018, le développement ne commençant qu’en février 2014.
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